第一百八十五章：N-漂移层 (第2/2页)
　　
　　灯光明亮的实验室中，听到声音后，另一名正在按照直播进行再次掺杂铝离子的中年男子迅速起身走过去，从青年手中接过资料翻阅了起来。
　　
　　“一次渗透率为1.01325×10-15md。”
　　
　　“二次渗透率为1.78314×12-15md。”
　　
　　“........”
　　
　　“一次渗透碳原子的dpa为18.3.......。”
　　
　　“二次渗透碳原子的dpa为32.1.......。”
　　
　　........
　　
　　“这不可能！”
　　
　　看到最后dpa损伤结果，中年组长瞬间脱口而出，满脸的不敢置信。
　　
　　这一组资料上的数据，实在是太令人震惊了。
　　
　　一次渗透碳原子的dpa损伤只有18.3，这怎么可能？
　　
　　哪怕是风车国那边最先进的离子注入，碳化硅晶材中的碳原子损伤也会达到三位数以上。
　　
　　更关键的是，这种方式二次渗透的都只有低两位数的dpa损伤。
　　
　　这是上帝才能做到事情。
　　
　　这样低的渗透损伤率，如果应用到芯片的制造上.......。
　　
　　实验室的中年组长已经不敢再想下去了。
　　
　　正如华国京城某间实验室中一样，这样的场景不断重复在世界各地中。
　　
　　模拟空间中，一下午的时间很快就过去了。
　　
　　经历过整整六次的渗透处理后，太阳也下山了。
　　
　　但今天的直播到现在还不能停下。
　　
　　渗透处理过后的碳化硅晶材需要更进一步处理，将刚注入的铝离子稳定下来，形成可用的n-漂移层。
　　
　　至于稳定的方法，那就是通过高温进行退火处理。
　　
　　清洗干净的碳化硅晶材吹干后整齐的倒放在干燥的玻璃容器中，韩元从一旁的材料中翻出来一个透明塑料袋。
　　
　　里面是细细的黑色粉末，上面还有一个纸制标签，写着‘碳粉’两字。
　　
　　将袋子打开，里面碳粉取出来装入注入了铝离子的沟槽中，覆盖住整个沟槽。
　　
　　三十颗碳化硅晶材全都处理好后装入金属盘中，然后送入高温熔炉中。
　　
　　熔炉中的温度控制在一千一到一千四百度之间。
　　
　　这一步很重要，通过高温加碳粉在碳化硅晶材的n+漂移层上形成一道保护膜，可以稳定有效的控制住n-漂移层中的电子流失。
　　
　　高温退火的过程是三个小时左右。
　　
　　从太阳下山，一直到月亮升起，韩元才将熔炉中的碳化硅晶材拿出来，冷却后清理掉多余的碳粉。
　　
　　处理完成后的碳化硅晶材的n-漂移层再通过浓硫酸来清理掉顽固的碳渣。
　　
　　这一步完成后，韩元才松了口气。
　　
　　碳化硅晶体管中最难处理的n-漂移层他已经制备完成了。
　　
　　剩下的，明天再来处理就行了。
　　
　　和直播间里面观众打了个招呼，他便停下了直播。
　　
　　n-漂移层处理完成后，剩下的工作相对而言就简单多了。
　　
　　当然，这只是针对他制造的这种碳化硅晶体管来说的。
　　
　　如果是现代化的集成芯片，后面还需要注入p阱、p+接触区、n+接触点、p-区域等一些列的步骤。
　　
　　麻烦程度可不止一点半点的。
　　
　　........